南京理工大学
实验偏向:光催化产氨
第一作者:梁慧敏
通讯作者:狄俊 教授
揭晓单位:南京理工大学,,,,,,,化学与化工学院,,,,,,,狄俊先生课题组
揭晓期刊:Applied Catalysis B: Environment and Energy
影响因子(IF): 20.2
在首次合成的CuIn2S4原子层外貌引入Cu-S空位缔合体,,,,,,,Cu-S空位缔合体的引入提高了CuIn2S4在红外区域的光吸收强度。。。。。。同时,,,,,,,它可以在CuIn2S4中爆发对称破损结构,,,,,,,从而爆发分解的电荷重漫衍外貌原子结构并形成局部极化中心。。。。。。这种奇异的设置能够形成电荷密度梯度,,,,,,,有利于定向电荷转移和N2以及NO3-极化,,,,,,,有助于实现精彩的光催化氨合成性能。。。。。。Cu-S空位缔合体与差池称电荷漫衍的构建增强了与反应中心体的非共价相互作用,,,,,,,并有用降低了速率确定办法的能垒。。。。。。这项事情为Cu-S空位缔合体在光催化氨合成中的主要作用提供了新的看法。。。。。。
1.VCu-S rich CIS 合成
将 0.25 mmol 醋酸铜、0.5 mmol In(NO3)3 和 0.2 g 聚乙烯吡咯烷酮 (PVP) 溶于 15 mL 乙醇和 15 mL H2O 中。。。。。。随后,,,,,,,在强烈搅拌下将 2 mmol 硫代乙酰胺加入上述溶液中,,,,,,,并进一步搅拌 10 min。。。。。。将混淆物转移至 50 ml 特氟龙衬里高压灭菌器中,,,,,,,并在 160 °C 下加热 24 小时。。。。。。然后用乙醇和去离子水洗涤样品,,,,,,,并在 60 °C 的烘箱中干燥 12 小时,,,,,,,然后进一步表征。。。。。。
2.VCu-S poor CIS合成
将 0.25 mmol 醋酸铜、0.5 mmol In(NO3)3 和 0.2 g 聚乙烯吡咯烷酮 (PVP) 溶于 15 mL 乙醇和 15 mL H2O 中。。。。。。随后,,,,,,,在强烈搅拌下将 2 mmol 硫代乙酰胺加入上述溶液中,,,,,,,并进一步搅拌 10 min。。。。。。将混淆物转移至 50 ml 特氟龙衬里高压灭菌器中,,,,,,,并在 160 °C 下加热 24 小时。。。。。。然后用乙醇和去离子水洗涤样品,,,,,,,并在 60 °C 的烘箱中干燥 12 小时,,,,,,,然后进一步表征。。。。。。
3.光催化NO3-–NH4+
将 10 mg 催化剂疏散在含有 10 mg L-1 NO3- 和 10 mL 乙二醇的 100 mL 反应溶液中,,,,,,,并转移到光催化反应器中。。。。。。接纳 300 W Xe 灯(MC-PF300C,betsson·(中国区)官方网站)作为光源。。。。。。实验在 25°C下使用循环水系统举行。。。。。。通过离子色谱法和 Nessler 试剂检测天生的 NH4+
图1:(a)VCu-S 调谐 CIS 原子层的形成历程示意图;;;;;(b-e)VCu-S rich CIS 原子层的 HAADF-STEM 图像和(i)EDS 元素图谱;;;;;(f-h)VCu-S poor CIS 原子层的 HAADF-STEM 图像和(j)EDS 元素图谱。。。。。。
图2:(a) 同步辐射 In K-edge XAFS,,,,,,,(b) In K-edge 的 EXAFS 光谱。。。。。。(c) VCu-S rich CIS 和 (d) VCu-S poor CIS 的响应 EXAFS R 空间拟合曲线。。。。。。(e) VCu-S rich CIS 和 (f) VCu-S poor CIS 的小波变换。。。。。。(g) VCu-S rich CIS 和VCu-S poor CIS 的正电子湮灭寿命谱。。。。。。(h) VCu-S poor CIS 和(i) VCu-S rich CIS 的俘获正电子示意图。。。。。。
图3. (a) 在VCu-S rich CIS 和VCu-S poor CIS 上,,,,,,,光催化N2天生 NH3。。。。。。(b) 在紫外可见光照射下,,,,,,,VCu-S rich CIS 和VCu-S poor CIS将NO3-光还原成 NH3。。。。。。(c) 在VCu-S rich CIS上举行 NO3- 还原的循环测试。。。。。。(d) 在近红外线照射下,,,,,,,VCu-S rich CIS 和VCu-S poor CIS 将NO3-光还原成 NH3。。。。。。(e) VCu-S rich CIS原子层的表观量子效率。。。。。。(f) 15N的质谱。。。。。。(g, h) VCu-S rich CIS 和和 (i) VCu-S poor CIS的超快瞬态吸收光谱。。。。。。
图4.DFT 盘算得出的(a)VCu-S poor CIS 和(b)VCu-S rich CIS的晶体结构和静电位图。。。。。。(c) 贫VCu-SCIS,,,,,,,(d) VCu-S rich CIS吸附 NO3- 的电荷密度差(浅蓝色代表电荷密度降低,,,,,,,黄色代表电荷密度升高。。。。。。等外貌电平为 0.005 e/A3)。。。。。。吸附在(e)VCu-S poor CIS和(f)VCu-S rich CIS上的 NOH 的电子定位功效(等外貌电平为 0.)(g) 在VCu-S poor CIS(蓝线)和VCu-S rich CIS(红线)上NO3-光天生NH3的自由能图。。。。。。
效果批注,,,,,,,Cuin:S4atomic层在宽光谱规模内体现出响应性在近红外光波段体现出优异的响应特征。。。。。。Cu-S空位的形成在CIS原子层外貌爆发了具有差池称特征漫衍的极化中心,,,,,,,有利于提高外貌充电疏散效率,,,,,,,使载流子increasedfom23.55psinVCu--spoorCIS原子层的寿命抵达592.5lpsinVCu-S富CIS原子层。。。。。。DFT盘算效果批注,,,,,,,铜空associatesreinforcethenancovalen在反应中心体之间相互作用,,,,,,,降低了速率的能量障碍。。。。。。
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